
В Институте физики микроструктур РАН разработаны оптимальные дизайны структур на основе теллурида ртути и кадмия (HgCdTe) с целью создания излучателей в диапазоне длин волн от 10 до 31 мкм...
читать далее »В Институте физики микроструктур РАН разработаны оптимальные дизайны структур на основе теллурида ртути и кадмия (HgCdTe) с целью создания излучателей в диапазоне длин волн от 10 до 31 мкм...
читать далее »