Записи с меткой: лазер на свободных электронах

Ученые НГУ и ИЯФ СО РАН смоделировали новое излучение для Европейского XFEL

Ученые НГУ и ИЯФ СО РАН смоделировали новое излучение для Европейского XFEL

Рентгеновские лазеры на свободных электронах (ЛСЭ) открыли новые горизонты для исследователей...

читать далее »
Ученые ИЯФ СО РАН и ИФМ РАН исследовали поведение электронов мышьяка в полупроводнике под действием терагерцового излучения

Ученые ИЯФ СО РАН и ИФМ РАН исследовали поведение электронов мышьяка в полупроводнике под действием терагерцового излучения

Специалисты Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) и Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) провели серию оптических исследований германия, легированного мышьяком (материал относится к классу полупроводников)...

читать далее »