Компании MicronTechnology, Inc. и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек хранения данных.

Флеш-память используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве. Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron, с высочайшей точностью размещает слои ячеек для создания накопителей, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND.

Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах микросхем, что дает возможность снизить энергопотребление и повысить производительность памяти как для потребительских мобильных устройств, так и для ресурсоемких корпоративных сред.

Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.